用濺射造句
“濺射”的解釋
濺射[jiàn shè] 濺射 濺射對(duì)于遠(yuǎn)程有彈道英雄就像分裂斬對(duì)于近戰(zhàn)英雄，它和分裂斬有相似也有不同的地方。最大的不同在于AoE在彈道擊到的目標(biāo)處決定，而不是分裂斬由攻擊者站立的地方確定。目前版本有一個(gè)英雄、一種召喚單位和一種野怪有這種攻擊類型。他們是：龍騎士（2、3級(jí)變身為龍后）、暗影薩滿的蛇帳和黑龍。
用“濺射”造句
1、 采用磁控濺射方法制備金屬銻薄膜，并把它作為鋰離子二次電池負(fù)極進(jìn)行研究。
2、 這是濺射離子簇質(zhì)譜中繼“幻數(shù)”結(jié)構(gòu)的另一個(gè)重要性質(zhì)。
3、 研究結(jié)果表明，磁控濺射制備的碳氟膜為非晶結(jié)構(gòu)。
4、 本文主要論述基板員偏壓與銅基體磁控濺射離子鍍鋁膜的關(guān)系。
5、 濺射原子發(fā)射的角分布概率和濺射花樣與高能濺射相類似。
6、 所述的合金組合物優(yōu)選形成為用于薄膜應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶。
7、 在雙元靶嚴(yán)格解的基礎(chǔ)上，證明了澤優(yōu)濺射與原子的半徑大小無關(guān)。
8、 現(xiàn)在反應(yīng)濺射法已被廣泛應(yīng)用于切削刀具、成型工具、注射模具和諸如沖頭和沖模之類的通用器具，以增強(qiáng)其耐磨性和使用壽命。
9、 研究了用銦錫合金靶直流磁控反應(yīng)濺射制備ITO透明號(hào)電膜。
10、 為改善射頻濺射法制備的防水透濕涂層的外觀和拒水性，對(duì)滌綸織物基底上的濺射氟碳高分子膜的泛黃問題進(jìn)行了研究。
11、 過高的濺射功率使薄膜以非晶態(tài)的形式存在.
12、 它們拍發(fā)的大量導(dǎo)彈可以造成不可思議的濺射傷害.
13、 三極反應(yīng)濺射具有設(shè)備簡(jiǎn)單，工藝簡(jiǎn)便，鍍層致密等特點(diǎn)。
14、 用磁控濺射低溫沉積鍍膜技術(shù)制做錳銅薄膜,能夠保持薄膜中錳、銅、鎳成份的相對(duì)穩(wěn)定和錳銅合金正六面三元固溶體金相結(jié)構(gòu)的特性.
15、 也可以單獨(dú)作為磁控濺射或多弧離子鍍膜機(jī)使用。
16、 反應(yīng)磁控濺射廣泛應(yīng)用于制備光學(xué)薄膜.
17、 高Z材料因其高熔點(diǎn)和低濺射率近年來受到越來越多的關(guān)注，但是難熔材料的脆性等問題仍然是這類材料應(yīng)用的一大障礙。
18、 本文將主要敘述等離子濺射鍍膜的原理與方法,并且簡(jiǎn)單介紹磁控管濺射儀和鋨等離子鍍膜儀等.
19、 在不同條件下用射頻濺射方法制備了氮化碳薄膜。
20、 采用氫離子濺射和X射線光電子能譜相結(jié)合的方法，檢測(cè)焦磷酸鹽鍍銅層和鐵基體界面區(qū)含氧量的變化，證明了氧化層的存在。
21、 應(yīng)用TRIM程序模擬了離子在氚鈦靶上的濺射產(chǎn)額。
22、 射頻濺射沉積的薄膜均勻性和致密性要優(yōu)于直流濺射沉積的薄膜。
23、 采用磁控射頻濺射法制備光波導(dǎo)用玻璃薄膜。
24、 方法：用電子束蒸發(fā)和射頻磁控濺射兩種技術(shù)制備了天然HA薄膜。
25、 春雨啊，嘩嘩地下，雨珠落在湖面上，像珍珠落在玉盤里四面濺射；雨珠落在干土上，地皮上陷下一個(gè)小坑，像草原姑娘臉上的笑靨。雨好牧草就好，牧草好牲口就好，牲口好牧民的生活就好。
26、 首先提出真空管道自體真空鍍膜新概念，采用特殊的陰極靶結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成功的解決了長(zhǎng)管道內(nèi)表面直流濺射鍍膜的難題。
27、 老實(shí)說,狂戰(zhàn)斧挺好用的,它可以帶來相當(dāng)可觀的攻擊加成,恢復(fù)能力,并且它還有濺射效果.
28、 真空室內(nèi)的氣體等離子體可由熱燈絲或射頻放電產(chǎn)生，4另外還配置了4個(gè)金屬等離子體源、兩套磁控濺射靶和冷卻靶臺(tái)。
29、 在納晶敏化太陽能電池中，載鉑對(duì)電極的制備通常有電沉積、濺射和熱解等方法。
30、 低濺射功率下，與鍵角畸變有關(guān)的結(jié)構(gòu)無序是導(dǎo)致光學(xué)帶隙變窄的主要因素。
31、 槍是一種先進(jìn)的真空濺射鍍膜器件，可用于進(jìn)行多種真空鍍膜工藝。
32、 輝光光譜定量轉(zhuǎn)化所得深度結(jié)果與表面形貌儀剛定相應(yīng)濺射坑的深度結(jié)果對(duì)比發(fā)現(xiàn)，本方法定量轉(zhuǎn)化深度結(jié)果準(zhǔn)確可靠。
33、 用射頻反應(yīng)濺射法制備出BCN薄膜。
34、 脈沖濺射是一種新型的、用于消除直流反應(yīng)濺射中異常放電的技術(shù)。
35、 以磁控濺射沉積方法，采用循環(huán)氬離子轟擊鍍和未循環(huán)轟擊鍍工藝在金屬*上制備了鋁薄膜。
36、 磁控濺射離子鍍鋁膜不是簡(jiǎn)單的單質(zhì)外接鋁膜，而是銅和鋁組成的合金膜。
37、 對(duì)于反應(yīng)濺射，可通過連續(xù)改變反應(yīng)氣體流量制得化學(xué)成分比連續(xù)變化的梯度薄膜。
38、 在不同的襯底溫度下用射頻濺射方法制備了氮化碳薄膜。
39、 離化團(tuán)束的濺射產(chǎn)額比之單體離子束高100倍以上。
40、 磁控濺射離子鍍鋁膜不是簡(jiǎn)單的單質(zhì)外接鋁膜，而是鋁和鐵組成的合金膜。
41、 一是因畸變層與非畸變層的擴(kuò)散系數(shù)不同，結(jié)果由擴(kuò)散導(dǎo)致交界區(qū)出現(xiàn)原子富集；二是離子轟擊的濺射作用和濺射衰減效應(yīng)使得出現(xiàn)內(nèi)層的濃度峰。
42、 本文利用正交實(shí)驗(yàn)方法，對(duì)非平衡磁控濺射技術(shù)制備無氫DLC膜增透膜進(jìn)行了研究，得到了影響薄膜光學(xué)性能的主要因素和最佳的制備工藝。
43、 利用磁控射頻濺射技術(shù)制備了ITO薄膜。
44、 采用磁控濺射法制備錳銅薄膜,濺射和真空蒸發(fā)法制備鐿薄膜.
45、 在離子束濺射鍍膜機(jī)的膜厚控制系統(tǒng)的研究中，由于采用了現(xiàn)代檢測(cè)手段，使測(cè)量精度大大提高。
46、 通過磁控反應(yīng)濺射，在玻璃基底上制備了不同濺射溫度下的氧化鈦薄膜。
47、 反應(yīng)濺射中氧分壓對(duì)薄膜的影響也很大，較高的氧氣分壓有助于較好結(jié)晶的二氧化鈦薄膜的生成。
48、 用直流反應(yīng)磁控濺射法制備了氧化鎳電致變色薄膜,采用XRD和TEM對(duì)所制的薄膜結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究.
49、 并且隨著陰極溫度升高,陰極濺射率也隨之增加.
50、 用射頻濺射的方法制備得的釓鈷膜具有垂直于膜面的單軸各向異性。